UHPC 方法
一次高精度测量的上限，由最弱的那个控制项决定。信号——与 1 只差百万分之几的库仑效率——小到温漂、不一致的截止、或一个噪声大的通道就能把它抹掉。
准备
- 参比与电芯。 做机理研究时，金属锂参比给出稳定电位；把电芯与接线做成低电阻，让测到的电压跟随电极、而非引线。
- 温度。 电流检测有温度系数，温箱须控稳——零点几度的漂移，对读数的影响可能超过你要追的效应。固定设定点（如 40.0 ± 0.1 °C）并记录。
- 倍率。 低倍率（C/20–C/10）给出接近平衡的曲线、更干净的 dV/dQ；也拉长单圈时间，直接进入 CIE/h 读数。
- 截止。 用一致的电压窗口，避免在电压平台的平坦区结束一圈——那里一点小移动就挪动真正的终点，带着 CE 一起动。
跑测量
- 每圈按仪器满分辨率记录充、放电容量；分析用的是测到的值，不是设定电流。
- 通常 10–15 圈就能读出一个趋势，而普通设备要几百圈才显形。
- 各通道条件保持一致——滑移依赖通道间准确度，不只是单通道精度。
读数据
- CE 曲线。 CE 收敛多快、稳不稳。几圈内爬到 99.9% 以上并稳住的电芯在形成稳定界面；CE 缓慢或漂移，提示活性锂持续损失。
- dV/dQ（差分电压）。 峰对应相变：峰面积减少指向活性材料损失；峰沿容量轴平移指向活性锂损失。
- EIS。 并行测，分离欧姆、界面（SEI + 电荷转移）、扩散阻抗，并看它们随循环增长。
常见误区
- 过度归因。 CE、衰减、滑移只说明某类机制存在，不指认具体反应。要指认具体反应，须做对照实验（如剔除正极、或做对称电芯）。
- FSR vs 读数的坑。 电流准确度按满量程标注、非读数；用绝对误差除以很小的设定电流，会算出虚假的误差率。见 测量与精度。
- 过度外推。 早期数据只在线性区预测长期寿命；外推远超实测范围（约超过实测圈数 6 倍）后，误差迅速增大。